CSD23202W10T - MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-CSD23202W10T
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für CSD23202W10T
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CSD23202W10T
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 53 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3.8nC @ 4.5V
Vgs (Max) : -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 512pF @ 6V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 4-DSBGA (1x1)
Paket / fall : 4-UFBGA, DSBGA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für CSD23202W10T
Datenblätter : CSD23202W10T.pdf
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