DMN67D8LDW-13 - MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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Technische Daten für DMN67D8LDW-13
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
DMN67D8LDW-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
230mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.82nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
22pF @ 25V
Leistung max :
320mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package :
SOT-363
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für DMN67D8LDW-13
Datenblätter :
DMN67D8LDW-13.pdf
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