DLA11C-TR-E - DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD

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DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD
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Technische Daten für DLA11C-TR-E

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DLA11C-TR-E
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1.1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 980mV @ 1.1A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 2-SMD, J-Lead
Supplier Device Package : SMD
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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