DMT3011LDT-7 - MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

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MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
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Technische Daten für DMT3011LDT-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMT3011LDT-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A, 10.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 641pF @ 15V
Leistung max : 1.9W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 155°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-VDFN Exposed Pad
Supplier Device Package : V-DFN3030-8 (Type K)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für DMT3011LDT-7

Datenblätter : DMT3011LDT-7.pdf

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