NVMFS6H800NWFT1G - TRENCH 8 80V NFET

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TRENCH 8 80V NFET
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für NVMFS6H800NWFT1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NVMFS6H800NWFT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : TRENCH 8 80V NFET
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 28A (Ta), 203A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 330µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 85nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5530pF @ 40V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall : 8-PowerTDFN, 5 Leads
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für NVMFS6H800NWFT1G

Datenblätter : NVMFS6H800NWFT1G.pdf

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