IXFT12N100 - MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXFT12N100
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IXFT12N100
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXFT12N100
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
Serie : HiPerFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4000pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 300W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-268
Paket / fall : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IXFT12N100
Datenblätter : IXFT12N100.pdf
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