FDC6561AN - MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FDC6561AN
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für FDC6561AN
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDC6561AN
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3.2nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 220pF @ 15V
Leistung max : 700mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package : SuperSOT™-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : FDC6561AN.pdf
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