RFD12N06RLE - MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

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MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
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Technische Daten für RFD12N06RLE

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RFD12N06RLE
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Serie : UltraFET™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 63 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 485pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 40W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I-PAK
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : RFD , RFD12

Dokumente für RFD12N06RLE

Datenblätter : RFD12N06RLE.pdf

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