IRF1010EZL - MOSFET N-CH 60V 75A TO-262

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Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
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Technische Daten für IRF1010EZL

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRF1010EZL
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 51A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2810pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 140W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-262
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : IRF , IRF10

Dokumente für IRF1010EZL

Datenblätter : IRF1010EZL.pdf

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