FCD600N65S3R0 - SUPERFET3 650V DPAK PKG

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SUPERFET3 650V DPAK PKG
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für FCD600N65S3R0

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FCD600N65S3R0
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : SUPERFET3 650V DPAK PKG
Serie : SuperFET® III
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 600µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 465pF @ 400V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 54W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D-PAK (TO-252)
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : FCD6 , FCD600

Dokumente für FCD600N65S3R0

Datenblätter : FCD600N65S3R0.pdf

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