DMHC6070LSD-13 - MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO

Hersteller Teilenummer

DMHC6070LSD-13

Interne Teilenummer

AX-DMHC6070LSD-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für DMHC6070LSD-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMHC6070LSD-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.1A, 2.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 731pF @ 20V

Leistung max : 1.6W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package : 8-SO

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : DMHC6070LSD-13.pdf

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