FDFMA3P029Z - MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FDFMA3P029Z
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für FDFMA3P029Z
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDFMA3P029Z
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 87 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 435pF @ 15V
FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) : 1.4W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-MicroFET (2x2)
Paket / fall : 6-VDFN Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für FDFMA3P029Z
Datenblätter : FDFMA3P029Z.pdf
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