SI2369DS-T1-GE3 - MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
RoHS-Status
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Technische Daten für SI2369DS-T1-GE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SI2369DS-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
29 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1295pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-236
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SI2369DS-T1-GE3
Datenblätter :
SI2369DS-T1-GE3.pdf
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