TSM061NA03CV RGG - MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
RoHS-Status
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Technische Daten für TSM061NA03CV RGG
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TSM061NA03CV RGG
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 66A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.1 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 19.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1136pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 44.6W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-PDFN (3x3)
Paket / fall : 8-PowerWDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für TSM061NA03CV RGG
Datenblätter : TSM061NA03CV RGG.pdf
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