TSM061NA03CV RGG - MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
973485 Pieces
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Technische Daten für TSM061NA03CV RGG
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
TSM061NA03CV RGG
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
66A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.1 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
19.3nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1136pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
44.6W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-PDFN (3x3)
Paket / fall :
8-PowerWDFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für TSM061NA03CV RGG
Datenblätter :
TSM061NA03CV RGG.pdf
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