MMIX1F420N10T - MOSFET N-CH 100V 334A SMPD
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 334A SMPD
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für MMIX1F420N10T
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
MMIX1F420N10T
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 334A SMPD
Serie :
GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
334A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.6 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
670nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4700pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
680W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
24-SMPD
Paket / fall :
24-PowerSMD, 21 Leads
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für MMIX1F420N10T
Datenblätter :
MMIX1F420N10T.pdf
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