SI8497DB-T2-E1 - MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT
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Technische Daten für SI8497DB-T2-E1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI8497DB-T2-E1
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 53 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1320pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-microfoot
Paket / fall : 6-UFBGA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI8497DB-T2-E1
Datenblätter : SI8497DB-T2-E1.pdf
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