IRFH7911TR2PBF - MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
RoHS-Status
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Technische Daten für IRFH7911TR2PBF
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRFH7911TR2PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.6 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1060pF @ 15V
Leistung max : 2.4W, 3.4W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 18-PowerVQFN
Supplier Device Package : PQFN (5x6)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IRFH7911TR2PBF
Datenblätter : IRFH7911TR2PBF.pdf
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