VQ1006P-E3 - MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP

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MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
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Technische Daten für VQ1006P-E3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : VQ1006P-E3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 4 N-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 90V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 400mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 60pF @ 25V
Leistung max : 2W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : -
Supplier Device Package : 14-DIP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für VQ1006P-E3

Datenblätter : VQ1006P-E3.pdf

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