BSP75GQTC - MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223

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MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
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Technische Daten für BSP75GQTC

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BSP75GQTC
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-223
Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : BSP75GQTC.pdf

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