IXTP3N120 - MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-220AB
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXTP3N120
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-220AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IXTP3N120
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXTP3N120
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-220AB
Serie : HiPerFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 200W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IXTP3N120
Datenblätter : IXTP3N120.pdf
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