FCD620N60ZF - MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3

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MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3
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Technische Daten für FCD620N60ZF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FCD620N60ZF
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3
Serie : HiPerFET™, Polar™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 620 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1135pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 89W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DPAK
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : FCD620N60ZF.pdf

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