IRLS4030-7PPBF - MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
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MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
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Technische Daten für IRLS4030-7PPBF
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRLS4030-7PPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 190A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.9 mOhm @ 110A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 11490pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 370W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D2PAK (7-Lead)
Paket / fall : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IRLS4030-7PPBF
Datenblätter : IRLS4030-7PPBF.pdf
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