TPN7R506NH,L1Q - MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für TPN7R506NH,L1Q

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TPN7R506NH,L1Q
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Serie : U-MOSVIII-H
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 26A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 700mW (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für TPN7R506NH,L1Q

Datenblätter : TPN7R506NH,L1Q.pdf

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