IXDN602SI - MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXDN602SI
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
242945 Pieces
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Technische Daten für IXDN602SI
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXDN602SI
Hersteller : IXYS Integrated Circuits Division
Beschreibung : MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Serie : -
Teilestatus : Active
Angetriebene Konfiguration : Low-Side
Kanaltyp : Independent
Anzahl der Treiber : 2
Gate-Typ : IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannungsversorgung : 4.5V ~ 35V
Logikspannung - VIL, VIH : 0.8V, 3V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) : 2A, 2A
Eingabetyp : Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) : -
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) : 7.5ns, 6.5ns
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Supplier Device Package : 8-SOIC-EP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IXDN602SI
Datenblätter : IXDN602SI.pdf
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