DMT3020LFDB-13 - MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

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MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
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Technische Daten für DMT3020LFDB-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMT3020LFDB-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 393pF @ 15V
Leistung max : 700mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package : U-DFN2020-6 (Type B)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für DMT3020LFDB-13

Datenblätter : DMT3020LFDB-13.pdf

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