DMN10H220LQ-7 - MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Hersteller Teilenummer

DMN10H220LQ-7

Interne Teilenummer

AX-DMN10H220LQ-7

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für DMN10H220LQ-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN10H220LQ-7

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 220 mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.3nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 401pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.3W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SOT-23-3

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : DMN1 , DMN10H

Dokumente für DMN10H220LQ-7

Datenblätter : DMN10H220LQ-7.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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