SIRA10BDP-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 30V
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CHAN 30V
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für SIRA10BDP-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SIRA10BDP-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CHAN 30V
Serie : TrenchFET® Gen IV
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 36.2nC @ 10V
Vgs (Max) : +20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1710pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 5W (Ta), 43W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8
Paket / fall : PowerPAK® SO-8
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SIRA10BDP-T1-GE3
Datenblätter : SIRA10BDP-T1-GE3.pdf
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