IRF7353D1TRPBF - MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
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Technische Daten für IRF7353D1TRPBF
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRF7353D1TRPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Serie : FETKY™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 650pF @ 25V
FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) : 2W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SO
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IRF7353D1TRPBF
Datenblätter : IRF7353D1TRPBF.pdf
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