NHP620MFDT3G - DIODE GEN PURP 200V 3A SO-8FL

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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 200V 3A SO-8FL
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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USD 0.15633
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Technische Daten für NHP620MFDT3G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NHP620MFDT3G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 3A SO-8FL
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 2 Independent
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 3A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 25ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500nA @ 200V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Supplier Device Package : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : NHP6 , NHP620

Dokumente für NHP620MFDT3G

Datenblätter : NHP620MFDT3G.pdf

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