SCTW90N65G2V - SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

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SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
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Technische Daten für SCTW90N65G2V

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SCTW90N65G2V
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 157nC @ 18V
Vgs (Max) : +22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3300pF @ 400V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 390W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : HiP247™
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für SCTW90N65G2V

Datenblätter : SCTW90N65G2V.pdf

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