APT29F100B2 - MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

Hersteller Teilenummer

APT29F100B2

Interne Teilenummer

AX-APT29F100B2

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

32480 Pieces

Referenzpreis

~~USD 12.09~~

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Technische Daten für APT29F100B2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : APT29F100B2

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

Serie : POWER MOS 8™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 440 mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 8500pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1040W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : T-MAX™ [B2]

Paket / fall : TO-247-3 Variant

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für APT29F100B2

Datenblätter : APT29F100B2.pdf

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