BSB017N03LX3 G - MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON

Hersteller Teilenummer

BSB017N03LX3 G

Interne Teilenummer

AX-BSB017N03LX3 G

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

15776 Pieces

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Technische Daten für BSB017N03LX3 G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSB017N03LX3 G

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 32A (Ta), 147A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 102nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7800pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.8W (Ta), 57W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : MG-WDSON-2, CanPAK M™

Paket / fall : 3-WDSON

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : BSB0 , BSB017N

Dokumente für BSB017N03LX3 G

Datenblätter : BSB017N03LX3 G.pdf

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