W947D2HBJX5E - IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-W947D2HBJX5E
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für W947D2HBJX5E
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : W947D2HBJX5E
Hersteller : Winbond Electronics
Beschreibung : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße : 128Mb (4M x 32)
Taktfrequenz : 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 5ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -25°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 90-TFBGA
Supplier Device Package : 90-VFBGA (8x13)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für W947D2HBJX5E
Datenblätter : W947D2HBJX5E.pdf
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