NE3516S02-T1C-A - IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

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Kurze Beschreibung
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
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Technische Daten für NE3516S02-T1C-A

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NE3516S02-T1C-A
Hersteller : CEL
Beschreibung : IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Transistortyp : N-Channel GaAs HJ-FET
Frequenz : 12GHz
Gewinnen : 14dB
Spannungs - Test : 2V
Aktuelle Bewertung : 60mA
Rauschzahl : 0.35dB
Aktueller Test : 10mA
Leistung : 165mW
Spannung - bewertet : 4V
Paket / fall : 4-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package : S02
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : NE351 , NE3516S

Dokumente für NE3516S02-T1C-A

Datenblätter : NE3516S02-T1C-A.pdf

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