FDMS1D4N03S - MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN

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MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
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Technische Daten für FDMS1D4N03S

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDMS1D4N03S
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
Serie : PowerTrench®, SyncFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 211A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.09 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10250pF @ 15V
FET-Funktion : Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.) : 74W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-PQFN (5x6)
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : FDM , FDMS1

Dokumente für FDMS1D4N03S

Datenblätter : FDMS1D4N03S.pdf

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