TK14E65W5,S1X - MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220AB

Hersteller Teilenummer

TK14E65W5,S1X

Interne Teilenummer

AX-TK14E65W5,S1X

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für TK14E65W5,S1X

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TK14E65W5,S1X

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220AB

Serie : DTMOSIV

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 690µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 300V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 130W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TK14E65W5,S1X

Datenblätter : TK14E65W5,S1X.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
CDR31BP100BJZRAB	Vishay Vitramon	CAP CER 10PF 100V BP 0805.
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B37987F1223M051	EPCOS (TDK)	CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL.
GRM1555C1E8R1CZ01D	Murata Electronics North America	CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402.
WI085444WN84236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8400PF 18KV.
WI106266WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.