GB01SLT12-252 - DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
362970 Pieces
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Technische Daten für GB01SLT12-252
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
GB01SLT12-252
Hersteller :
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung :
DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.8V @ 1A
Geschwindigkeit :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
2µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F :
69pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package :
TO-252
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 175°C
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für GB01SLT12-252
Datenblätter :
GB01SLT12-252.pdf
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