GB01SLT12-252 - DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
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Kurze Beschreibung
DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für GB01SLT12-252
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : GB01SLT12-252
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 1A
Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 2µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F : 69pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package : TO-252
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für GB01SLT12-252
Datenblätter : GB01SLT12-252.pdf
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