BSZ018NE2LSIATMA1 - MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für BSZ018NE2LSIATMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BSZ018NE2LSIATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 22A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2500pF @ 12V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TSDSON-8-FL
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BSZ018NE2LSIATMA1
Datenblätter : BSZ018NE2LSIATMA1.pdf
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