BSZ018NE2LSIATMA1 - MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8

Hersteller Teilenummer

BSZ018NE2LSIATMA1

Interne Teilenummer

AX-BSZ018NE2LSIATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

622845 Pieces

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Technische Daten für BSZ018NE2LSIATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSZ018NE2LSIATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 22A (Ta), 40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2500pF @ 12V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.1W (Ta), 69W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-TSDSON-8-FL

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : BSZ01 , BSZ018NE

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Datenblätter : BSZ018NE2LSIATMA1.pdf

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