FDD86369-F085 - MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
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MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
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Technische Daten für FDD86369-F085
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDD86369-F085
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
Serie : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2530pF @ 40V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 150W (Tj)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D-PAK (TO-252)
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für FDD86369-F085
Datenblätter : FDD86369-F085.pdf
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