BUZ31H3046XKSA1 - MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
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MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
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Technische Daten für BUZ31H3046XKSA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BUZ31H3046XKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Serie : SIPMOS®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 14.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 9A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1120pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 95W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO262-3-1
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BUZ31H3046XKSA1
Datenblätter : BUZ31H3046XKSA1.pdf
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