SCTWA50N120 - MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247

Hersteller Teilenummer

SCTWA50N120

Interne Teilenummer

AX-SCTWA50N120

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

22778 Pieces

Referenzpreis

~~USD 17.2386~~

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Technische Daten für SCTWA50N120

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SCTWA50N120

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : SiCFET (Silicon Carbide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 65A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 69 mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 122nC @ 20V

Vgs (Max) : +25V, -10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 400V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 318W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 200°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : HiP247™

Paket / fall : TO-247-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SCTWA50N120

Datenblätter : SCTWA50N120.pdf

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