NP80N055NDG-S18-AY - MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für NP80N055NDG-S18-AY
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NP80N055NDG-S18-AY
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.9 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 135nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6900pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-262
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für NP80N055NDG-S18-AY
Datenblätter : NP80N055NDG-S18-AY.pdf
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