NP80N055NDG-S18-AY - MOSFET N-CH 55V 80A TO-262

Hersteller Teilenummer

NP80N055NDG-S18-AY

Interne Teilenummer

AX-NP80N055NDG-S18-AY

Hersteller

Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 55V 80A TO-262

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

12688 Pieces

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Technische Daten für NP80N055NDG-S18-AY

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : NP80N055NDG-S18-AY

Hersteller : Renesas Electronics America

Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 80A TO-262

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.9 mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 135nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6900pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta), 115W (Tc)

Betriebstemperatur : 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-262

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für NP80N055NDG-S18-AY

Datenblätter : NP80N055NDG-S18-AY.pdf

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