PMZB600UNELYL - MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B
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MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B
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Technische Daten für PMZB600UNELYL
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : PMZB600UNELYL
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B
Serie : TrenchMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 600mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 21.3pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 360mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DFN1006B-3
Paket / fall : 3-XFDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für PMZB600UNELYL
Datenblätter : PMZB600UNELYL.pdf
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