PMZB600UNELYL - MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B

Hersteller Teilenummer

PMZB600UNELYL

Interne Teilenummer

AX-PMZB600UNELYL

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für PMZB600UNELYL

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PMZB600UNELYL

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B

Serie : TrenchMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 600mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 620 mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.7nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 21.3pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 360mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DFN1006B-3

Paket / fall : 3-XFDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für PMZB600UNELYL

Datenblätter : PMZB600UNELYL.pdf

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