IXTP4N60P - MOSFET N-CH 600V 4A TO-220

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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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USD 0.672
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Technische Daten für IXTP4N60P

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXTP4N60P
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
Serie : PolarHV™
Teilestatus : Last Time Buy
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 635pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 89W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : IXT , IXTP

Dokumente für IXTP4N60P

Datenblätter : IXTP4N60P.pdf

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