ZXMN2A04DN8TA - MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
391790 Pieces
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Technische Daten für ZXMN2A04DN8TA
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
ZXMN2A04DN8TA
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22.1nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1880pF @ 10V
Leistung max :
1.8W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOP
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für ZXMN2A04DN8TA
Datenblätter :
ZXMN2A04DN8TA.pdf
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