FCPF165N65S3L1 - MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3

Hersteller Teilenummer

FCPF165N65S3L1

Interne Teilenummer

AX-FCPF165N65S3L1

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

168805 Pieces

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Technische Daten für FCPF165N65S3L1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FCPF165N65S3L1

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3

Serie : SuperFET® III

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 19A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 165 mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.9mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1415pF @ 400V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 35W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220F-3

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FCPF165N65S3L1.pdf

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