APT45GR65SSCD10 - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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Kurze Beschreibung
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für APT45GR65SSCD10
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APT45GR65SSCD10
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
IGBT-Typ : NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 118A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 224A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 45A
Leistung max : 543W
Energie wechseln : -
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 203nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 15ns/100ns
Testbedingung : 433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 80ns
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : D3Pak
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : APT45GR65SSCD10.pdf
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