LN60A01ES-LF-Z - MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
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MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
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Technische Daten für LN60A01ES-LF-Z
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : LN60A01ES-LF-Z
Hersteller : Monolithic Power Systems Inc.
Beschreibung : MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 3 N-Channel, Common Gate
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 Ohm @ 10mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 1.3W
Betriebstemperatur : -20°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SOIC
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für LN60A01ES-LF-Z
Datenblätter : LN60A01ES-LF-Z.pdf
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