DMNH6012LK3Q-13 - MOSFET NCH 60V 80A TO252

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MOSFET NCH 60V 80A TO252
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Technische Daten für DMNH6012LK3Q-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMNH6012LK3Q-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET NCH 60V 80A TO252
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1926pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-252-4L
Paket / fall : TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für DMNH6012LK3Q-13

Datenblätter : DMNH6012LK3Q-13.pdf

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