AUIRL7766M2TR - MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET

Hersteller Teilenummer

AUIRL7766M2TR

Interne Teilenummer

AX-AUIRL7766M2TR

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

371200 Pieces

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Technische Daten für AUIRL7766M2TR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : AUIRL7766M2TR

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 31A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 150µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 66nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5305pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DIRECTFET™ M4

Paket / fall : DirectFET™ Isometric M4

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für AUIRL7766M2TR

Datenblätter : AUIRL7766M2TR.pdf

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